Rok: 2005, Józef Wojas, ISBN: 83-89008-41-6
Monografia ta jest pierwszym w naszej literaturze naukowej wydaniem książkowym istotnego tematu, jakim są teorie i badania zjawisk fotoelektrycznych w ciele stałym. W książce chronologicznie przedstawiono powstałe i rozwijające się teorie zjawisk fotoelektrycznych w metalach, półprzewodnikach i izolatorach oraz różne metody ich badania, głównie z uwzględnieniem możliwości wykorzystania zewnętrznego zjawiska fotoelektrycznego do badań podstawowych i aplikacyjnych. Fotoemisja elektronów jest jednym z najdokładniejszych narzędzi badania struktury i właściwości fizycznych powierzchni i objętości różnych materiałów.
Praca została dofinansowana przez Komitet Badań Naukowych.
SPIS TREŚCI:
CZĘŚĆ I:
1. Klasyczna teoria ciał stałych
2. Struktura pasm energetycznych ciał stałych
3. Wstęp do teorii fotoemisji-podstawy fizyczne
4. Dyskusja teorii fotoemisji z metali
5. Dyskusja teorii fotoemisji z izolatorów
CZĘŚĆ II:
1. Metalurgia kryształów półprzewodnikowych
2. Wprowadzenie do półprzewodników
3. Podstawy kwantowej teorii półprzewodników
4. Zjawiska fizyczne występujące w półprzewodnikach
5. Właściwości strukturalne
6. Struktura pasmowa półprzewodników amorficznych
7. Fotoemisja
8. Studia fotoemisji z półprzewodników
9. Rozwój teorii fotoemisji z półprzewodników
10. Teoretyczna interpretacja podstaw spektroskopii fotoelektronowej przeprowadzona przez Nilssona
11. Rozkłady kątowe fotoemisji
12. Zjawisko modulacji fotoemisji
13. Przejścia optyczne i odbicie światła skorelowane z fotoemisją
14. Stany powierzchniowe i ich gęstości
15. Wpływ wygięcia pasm energetycznych na fotoemisję
16. Fotoemisja a struktura elektronowa powierzchni
17. Wydajność kwantowa fotoemisji
18. Rozkłady energetyczne fotoelektronów
19. Techniki doświadczalne i metody pomiarowe podstawowych wielkości fotoemisyjnych
20. Określenie właściwości powierzchni półprzewodników
21. Fotoemisja rentgenowska
22. Cienkie warstwy półprzewodnikowe
23. Wpływ cezu na fotoemisję
24. Przykłady niektórych nowszych badań i zastosowań fotoemisji z półprzewodników
